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MCL产品规格:
参数
100mm
125mm
150mm
200mm
生长方法
直拉
直拉
直拉
直拉
掺杂剂
PP+;硼
P,P+;硼
PP+;硼
PP+;硼
 
N,N+;磷,锑,砷
NN+;磷,锑,砷
NN+;磷,锑,砷
NN+;磷,砷
晶向
1-0-0
1-0-0
1-0-0
 
1-1-1
1-1-1
1-1-1
1-0-0
 
1-1-0
1-1-0
1-1-0
电阻率
P型:0.001-300
P型:0.001-300
P型:0。001-300
P型:0。001-300
 
N型:磷 0.0007-100
N型:磷 0。0007-100
N型:磷 0.0007-100
N型:磷 0.0007-100
 
            0.006-0.02
            0。006-0。02
            0.006-0.02
 
          0.001-0.01
          0.001-0.01
          0。001-0。01
          0.001-0.01
氧含量
6-18ppm(New ASTM)
6-18ppm(New ASTM)
6-18ppm(New ASTM)
6-18ppm(New ASTM)
碳含量
0。5ppma Max
0。5ppma Max
0。5ppma Max
0.5ppma Max
体金属含量
5*1010/cm3 Max
5*1010/cm3 Max
5*1010/cm3 Max
5*1010/cm3 Max
表面金属含量
5*1010/cm2 Max
5*1010/cm2 Max
5*1010/cm2 Max
5*1010/cm2 Max
位错
总平整度
2.0 Microns Max
2.0 Microns Max
2.0 Microns Max
2。0 Microns Max
总厚度变化
3.0 Microns Max
3.0 Microns Max
3。0 Microns Max
3.0 Microns Max
局部平整度(15*15 100%)
1。0 Microns Max
1。0 Microns Max
1.0 Microns Max
0.4 Microns Max(25*25 100%)
翘曲度
30 Microns Max
30 Microns Max
30 Microns Max
50 Microns Max
弯曲度
30 Microns Max
30 Microns Max
30 Microns Max
50 Microns Max
厚度
目标值+/-15Microns
目标值+/-15Microns
目标值+/-15Microns
目标值+/-15Microns
正面粒子数
0.3Microns 10Max/Wafer
0.2Microns 18Max/Wafer
0.3Microns 10Max/Wafer
0。2Microns 18Max/Wafer
0.3Microns 10Max/Wafer
0。2Microns 18Max/Wafer
0。2Microns 18Max/Wafer
0.16Microns 35Max/Wafer
硅片正面
抛光面
抛光面
抛光面
抛光面
硅片背面
BSD/Poly/SiO2/Etched
BSD/Poly/SiO2/Etched
BSD/Poly/SiO2/Etched
BSD/Poly/SiO2/Etched
激光刻字
/软激光标记
/软激光标记
/软激光标记
/软激光标记

    MCL具有强大的加工能力和工艺技术保证,可以根据客户的需求或特定规格提供满足顾客需求的产品和服务。 

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